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SI4900DY-T1-E3
- Description :
- MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
- Forfait :
- 8-SO
- Cette partie est conforme à RoHS
- Fiche technique (1)
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- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 5.3A
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 60V
- FET Feature :
- Logic Level Gate
- FET Type :
- 2 N-Channel (Dual)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 20nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 665pF @ 15V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- 8-SOIC (0.154"，3.90mm Width)
- Packaging :
- -
- Power - Max :
- 3.1W
- Rds On (Max) @ Id，Vgs :
- 58 mOhm @ 4.3A，10V
- Series :
- TrenchFET
- Supplier Device Package :
- 8-SO
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 3V @ 250μA
