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HYB25D512800CE-5
- Description :
- IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
- Forfait :
- 66-TSOP II
- Cette partie est conforme à RoHS
- Fiche technique (1)
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- Access Time :
- -
- Clock Frequency :
- 200MHz
- Memory Format :
- DRAM
- Memory Interface :
- Parallel
- Memory Size :
- 512Mb (64M x 8)
- Memory Type :
- Volatile
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case :
- 66-TSSOP (0.400"，10.16mm Width)
- Packaging :
- Cut Tape (CT)
- Series :
- -
- Supplier Device Package :
- 66-TSOP II
- Technology :
- SDRAM - DDR
- Voltage - Supply :
- 2.3 V ~ 2.7 V
- Write Cycle Time - Word, Page :
- -
