GeneSiC Semiconductor

GA01PNS80-220

Description :
DIODE SILICON CARBIDE 8KV
Capacitance @ Vr,F :
4pF @ 1000V,1MHz
Current - Max :
2A
Diode Type :
PIN - Single
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
Axial
Packaging :
Tube
Power Dissipation (Max) :
-
Resistance @ If,F :
-
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Voltage - Peak Reverse (Max) :
8000V

Produits similaires