DMG6602SVT-7
- Description :
- MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
- Forfait :
- TSOT-23-6
- Cette partie est conforme à RoHS
- Fiche technique (1)
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- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 3.4A,2.8A
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 30V
- FET Feature :
- Logic Level Gate
- FET Type :
- N and P-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 13nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 400pF @ 15V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- SOT-23-6 Thin,TSOT-23-6
- Packaging :
- Cut Tape (CT)
- Power - Max :
- 840mW
- Rds On (Max) @ Id,Vgs :
- 60 mOhm @ 3.1A,10V
- Series :
- -
- Supplier Device Package :
- TSOT-23-6
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 2.3V @ 250μA