DMG6601LVT-7
- Description :
- MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
- Forfait :
- TSOT-26
- Cette partie est conforme à RoHS
- Fiche technique (1)
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- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 3.8A,2.5A
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 30V
- FET Feature :
- Logic Level Gate
- FET Type :
- N and P-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 12.3nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 422pF @ 15V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- SOT-23-6 Thin,TSOT-23-6
- Packaging :
- Tape & Reel (TR)
- Power - Max :
- 850mW
- Rds On (Max) @ Id,Vgs :
- 55 mOhm @ 3.4A,10V
- Series :
- -
- Supplier Device Package :
- TSOT-26
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 1.5V @ 250μA