- Voltage - Supply：
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- Operating Temperature：
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- Rise / Fall Time (Typ)：
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- Logic Voltage - VIL, VIH：
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- Current - Peak Output (Source, Sink)：
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- Conditions sélectionnées:
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Image | Numéro de pièce | Fabricant | Quantité | Délai de livraison | Prix unitaire | Acheter | Description | Voltage - Supply | Operating Temperature | Gate Type | Rise / Fall Time (Typ) | Logic Voltage - VIL, VIH | Current - Peak Output (Source, Sink) | |
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Image | Numéro de pièce | Fabricant | Quantité | Délai de livraison | Prix unitaire | Acheter | Description | Voltage - Supply | Operating Temperature | Gate Type | Rise / Fall Time (Typ) | Logic Voltage - VIL, VIH | Current - Peak Output (Source, Sink) | |
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IXYS Integrated Circuits Division |
Enquête
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MOQ: 1000 MPQ: 1
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2A MOSFET 8 DIP DUAL INV/NON-INV
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4.5 V ~ 35 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | IGBT，N-Channel，P-Channel MOSFET | 7.5ns，6.5ns | 0.8V，3V | 2A，2A | ||
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IXYS Integrated Circuits Division |
Enquête
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MOQ: 1000 MPQ: 1
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IC GATE DVR 4A DUAL HS 8DIP
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4.5 V ~ 35 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | IGBT，N-Channel，P-Channel MOSFET | 9ns，8ns | 0.8V，3V | 4A，4A | ||
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Maxim Integrated |
Enquête
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MOQ: 2500 MPQ: 1
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IC MOSFET DVR DUAL PWR DIP
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4.5 V ~ 18 V | -40°C ~ 85°C (TA) | N-Channel，P-Channel MOSFET | 25ns，25ns | 0.8V，2.4V | 1.5A，1.5A |
