- Voltage - Supply：
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- Rise / Fall Time (Typ)：
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- Logic Voltage - VIL, VIH：
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- Conditions sélectionnées:
Découvrez les produits 6
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Image | Numéro de pièce | Fabricant | Quantité | Délai de livraison | Prix unitaire | Acheter | Description | Voltage - Supply | Gate Type | High Side Voltage - Max (Bootstrap) | Rise / Fall Time (Typ) | Logic Voltage - VIL, VIH | |
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Image | Numéro de pièce | Fabricant | Quantité | Délai de livraison | Prix unitaire | Acheter | Description | Voltage - Supply | Gate Type | High Side Voltage - Max (Bootstrap) | Rise / Fall Time (Typ) | Logic Voltage - VIL, VIH | |
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Infineon Technologies |
8,446
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3 jours |
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MOQ: 1 MPQ: 1
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IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP
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3.3 V ~ 20 V | IGBT，N-Channel MOSFET | 500V | 25ns，17ns | 6V，9.5V | ||
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Infineon Technologies |
1,792
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3 jours |
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MOQ: 1 MPQ: 1
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IC MOSFET DVR HI/LO SIDE 14-DIP
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3.3 V ~ 20 V | IGBT，N-Channel MOSFET | 600V | 25ns，17ns | 6V，9.5V | ||
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IXYS Integrated Circuits Division |
Enquête
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MOQ: 1000 MPQ: 1
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IC GATE DRVR 600V HI/LO 14DIP
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10 V ~ 20 V | IGBT，N-Channel，P-Channel MOSFET | 600V | 9.4ns，9.7ns | 6V，9.5V | ||
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Infineon Technologies |
Enquête
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MOQ: 175 MPQ: 1
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IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-DIP
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3.3 V ~ 20 V | IGBT，N-Channel MOSFET | 500V | 25ns，17ns | 6V，9.5V | ||
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Infineon Technologies |
Enquête
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MOQ: 175 MPQ: 1
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IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP
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3.3 V ~ 20 V | IGBT，N-Channel MOSFET | 600V | 25ns，17ns | 6V，9.5V | ||
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IXYS |
Enquête
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MOQ: 275 MPQ: 1
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IC DRVR HALF BRIDGE 2A 14DIP
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10 V ~ 35 V | IGBT，N-Channel MOSFET | 500V | 8ns，7ns | 6V，9.6V |
