- Packaging：
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- Operating Temperature：
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- Gate Type：
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- Rise / Fall Time (Typ)：
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- Logic Voltage - VIL, VIH：
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- Current - Peak Output (Source, Sink)：
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- Conditions sélectionnées:
Découvrez les produits 9
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Image | Numéro de pièce | Fabricant | Quantité | Délai de livraison | Prix unitaire | Acheter | Description | Packaging | Series | Operating Temperature | Gate Type | Rise / Fall Time (Typ) | Logic Voltage - VIL, VIH | Current - Peak Output (Source, Sink) | |
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Image | Numéro de pièce | Fabricant | Quantité | Délai de livraison | Prix unitaire | Acheter | Description | Packaging | Series | Operating Temperature | Gate Type | Rise / Fall Time (Typ) | Logic Voltage - VIL, VIH | Current - Peak Output (Source, Sink) | |
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Infineon Technologies |
3,000
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3 jours |
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MOQ: 3000 MPQ: 1
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IC GATE DRVR LOW SIDE SOT23-5L
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Tape & Reel (TR) | μHVIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | IGBT，N-Channel MOSFET | 85ns，40ns | 0.6V，2.7V | 300mA，550mA | ||
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Infineon Technologies |
4,788
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3 jours |
-
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MOQ: 1 MPQ: 1
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IC GATE DRVR LOW SIDE SOT23-5L
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Cut Tape (CT) | μHVIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | IGBT，N-Channel MOSFET | 85ns，40ns | 0.6V，2.7V | 300mA，550mA | ||
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Infineon Technologies |
4,788
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3 jours |
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MOQ: 1 MPQ: 1
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IC GATE DRVR LOW SIDE SOT23-5L
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- | μHVIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | IGBT，N-Channel MOSFET | 85ns，40ns | 0.6V，2.7V | 300mA，550mA | ||
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ON Semiconductor |
3,000
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3 jours |
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MOQ: 3000 MPQ: 1
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IC GATE DRV SGL TTL 2A SOT23-5
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Tape & Reel (TR) | - | -40°C ~ 125°C (TJ) | N-Channel MOSFET | 19ns，13ns | 0.8V，2V | 2.5A，2.8A | ||
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ON Semiconductor |
5,984
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3 jours |
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MOQ: 1 MPQ: 1
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IC GATE DRV SGL TTL 2A SOT23-5
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Cut Tape (CT) | - | -40°C ~ 125°C (TJ) | N-Channel MOSFET | 19ns，13ns | 0.8V，2V | 2.5A，2.8A | ||
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ON Semiconductor |
5,984
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3 jours |
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MOQ: 1 MPQ: 1
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IC GATE DRV SGL TTL 2A SOT23-5
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- | - | -40°C ~ 125°C (TJ) | N-Channel MOSFET | 19ns，13ns | 0.8V，2V | 2.5A，2.8A | ||
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Infineon Technologies |
Enquête
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MOQ: 3000 MPQ: 1
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IC GATE DRVR LOW SIDE SOT23-5
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Tape & Reel (TR) | μHVIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | IGBT，N-Channel MOSFET | 10ns，10ns | 0.6V，2.7V | 1.5A，1.5A | ||
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Infineon Technologies |
2,237
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3 jours |
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MOQ: 1 MPQ: 1
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IC GATE DRVR LOW SIDE SOT23-5
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Cut Tape (CT) | μHVIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | IGBT，N-Channel MOSFET | 10ns，10ns | 0.6V，2.7V | 1.5A，1.5A | ||
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Infineon Technologies |
2,237
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3 jours |
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MOQ: 1 MPQ: 1
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IC GATE DRVR LOW SIDE SOT23-5
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- | μHVIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | IGBT，N-Channel MOSFET | 10ns，10ns | 0.6V，2.7V | 1.5A，1.5A |
