- Packaging：
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- Gate Type：
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- Rise / Fall Time (Typ)：
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- Current - Peak Output (Source, Sink)：
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Image | Numéro de pièce | Fabricant | Quantité | Délai de livraison | Prix unitaire | Acheter | Description | Packaging | Gate Type | Rise / Fall Time (Typ) | Current - Peak Output (Source, Sink) | |
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Image | Numéro de pièce | Fabricant | Quantité | Délai de livraison | Prix unitaire | Acheter | Description | Packaging | Gate Type | Rise / Fall Time (Typ) | Current - Peak Output (Source, Sink) | |
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Diodes Incorporated |
21,000
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3 jours |
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MOQ: 3000 MPQ: 1
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IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26
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Tape & Reel (TR) | IGBT，SiC MOSFET | 48ns，35ns | 10A，10A | ||
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Diodes Incorporated |
23,086
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3 jours |
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MOQ: 1 MPQ: 1
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IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26
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Cut Tape (CT) | IGBT，SiC MOSFET | 48ns，35ns | 10A，10A | ||
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Diodes Incorporated |
23,086
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3 jours |
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MOQ: 1 MPQ: 1
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IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26
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- | IGBT，SiC MOSFET | 48ns，35ns | 10A，10A | ||
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Diodes Incorporated |
27,000
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3 jours |
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MOQ: 3000 MPQ: 1
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IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
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Tape & Reel (TR) | N-Channel MOSFET | 210ns，240ns | 2A，2A | ||
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Diodes Incorporated |
28,160
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3 jours |
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MOQ: 1 MPQ: 1
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IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
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Cut Tape (CT) | N-Channel MOSFET | 210ns，240ns | 2A，2A | ||
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Diodes Incorporated |
28,160
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3 jours |
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MOQ: 1 MPQ: 1
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IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
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- | N-Channel MOSFET | 210ns，240ns | 2A，2A |
