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Image	Numéro de pièce	Fabricant	Quantité	Délai de livraison	Prix unitaire	Acheter	Description	Packaging	Voltage - Supply	Operating Temperature	Input Type	Driven Configuration	Gate Type	High Side Voltage - Max (Bootstrap)	Rise / Fall Time (Typ)	Logic Voltage - VIL, VIH
Image	Numéro de pièce	Fabricant	Quantité	Délai de livraison	Prix unitaire	Acheter	Description	Packaging	Voltage - Supply	Operating Temperature	Input Type	Driven Configuration	Gate Type	High Side Voltage - Max (Bootstrap)	Rise / Fall Time (Typ)	Logic Voltage - VIL, VIH
	IXDD404SI-16	IXYS	Enquête	-	-	IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC MOQ: 47 MPQ: 1	IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC	Tube	4.5 V ~ 35 V	-55°C ~ 150°C (TJ)	Non-Inverting	Low-Side	IGBT，N-Channel，P-Channel MOSFET	-	16ns，13ns	0.8V，2.5V
	IXDI404SI-16	IXYS	Enquête	-	-	IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC MOQ: 47 MPQ: 1	IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC	Tube	4.5 V ~ 35 V	-55°C ~ 150°C (TJ)	Inverting	Low-Side	IGBT，N-Channel，P-Channel MOSFET	-	16ns，13ns	0.8V，2.5V
	IXDN404SI-16	IXYS	Enquête	-	-	IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC MOQ: 47 MPQ: 1	IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC	Tube	4.5 V ~ 35 V	-55°C ~ 150°C (TJ)	Non-Inverting	Low-Side	IGBT，N-Channel，P-Channel MOSFET	-	16ns，13ns	0.8V，2.5V
	IXDF404SI-16	IXYS	Enquête	-	-	IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC MOQ: 47 MPQ: 1	IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC	Tube	4.5 V ~ 35 V	-55°C ~ 150°C (TJ)	Inverting，Non-Inverting	Low-Side	IGBT，N-Channel，P-Channel MOSFET	-	16ns，13ns	0.8V，2.5V
	IX4R11S3	IXYS	Enquête	-	-	IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC MOQ: 230 MPQ: 1	IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC	Bulk	10 V ~ 35 V	-40°C ~ 150°C (TJ)	Non-Inverting	Half-Bridge	IGBT，N-Channel MOSFET	650V	23ns，22ns	6V，7V
	IX4R11S3T/R	IXYS	Enquête	-	-	IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC MOQ: 1000 MPQ: 1	IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC	Tape & Reel (TR)	10 V ~ 35 V	-40°C ~ 150°C (TJ)	Non-Inverting	Half-Bridge	IGBT，N-Channel MOSFET	650V	23ns，22ns	6V，7V
	IXDD404SIA-16	IXYS	Enquête	-	-	IC MOSFET DRVR DUAL 4A 16-SOIC MOQ: 46 MPQ: 1	IC MOSFET DRVR DUAL 4A 16-SOIC	Tube	4.5 V ~ 35 V	-55°C ~ 150°C (TJ)	Non-Inverting	Low-Side	IGBT，N-Channel，P-Channel MOSFET	-	16ns，13ns	0.8V，2.5V

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