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		Image	Numéro de pièce	Fabricant	Quantité	Délai de livraison	Prix unitaire	Acheter	Description	Series	Voltage - Supply	Operating Temperature	Memory Size	Write Cycle Time - Word, Page
		Image	Numéro de pièce	Fabricant	Quantité	Délai de livraison	Prix unitaire	Acheter	Description	Series	Voltage - Supply	Operating Temperature	Memory Size	Write Cycle Time - Word, Page
			TC58BYG0S3HBAI4	Toshiba Memory America，Inc.	Enquête	-	-	1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE MOQ: 210 MPQ: 1	1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE	Benand	1.7 V ~ 1.95 V	-40°C ~ 85°C (TA)	1Gb (128M x 8)	25ns
			TC58BVG1S3HBAI4	Toshiba Memory America，Inc.	Enquête	-	-	2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE MOQ: 210 MPQ: 1	2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE	Benand	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	2Gb (256M x 8)	25ns
			TC58BYG1S3HBAI4	Toshiba Memory America，Inc.	Enquête	-	-	2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE MOQ: 210 MPQ: 1	2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE	Benand	1.7 V ~ 1.95 V	-40°C ~ 85°C (TA)	2Gb (256M x 8)	25ns
			TC58NYG1S3HBAI4	Toshiba Memory America，Inc.	Enquête	-	-	2G NAND SLC 24NM BGA MOQ: 210 MPQ: 1	2G NAND SLC 24NM BGA	-	1.7 V ~ 1.95 V	-40°C ~ 85°C (TA)	2Gb (256M x 8)	25ns
			TC58NYG2S0HBAI4	Toshiba Memory America，Inc.	Enquête	-	-	4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V MOQ: 210 MPQ: 1	4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V	-	1.7 V ~ 1.95 V	-40°C ~ 85°C (TA)	4Gb (512M x 8)	25ns
			TH58BVG2S3HBAI4	Toshiba Memory America，Inc.	Enquête	-	-	4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE MOQ: 210 MPQ: 1	4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE	Benand	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	4Gb (512M x 8)	25ns
			TH58BYG2S3HBAI4	Toshiba Memory America，Inc.	Enquête	-	-	4G SLC NAND BGA 24NM MOQ: 210 MPQ: 1	4G SLC NAND BGA 24NM	Benand	-	-40°C ~ 85°C	4Gb (512M x 8)	-
			TH58NYG2S3HBAI4	Toshiba Memory America，Inc.	Enquête	-	-	4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V MOQ: 210 MPQ: 1	4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V	-	1.7 V ~ 1.95 V	-40°C ~ 85°C (TA)	4Gb (512M x 8)	25ns
			TH58NVG3S0HBAI4	Toshiba Memory America，Inc.	Enquête	-	-	8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V MOQ: 210 MPQ: 1	8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V	-	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	8Gb (1G x 8)	25ns

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