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Image Numéro de pièce Fabricant Quantité Délai de livraison Prix ​​unitaire Acheter Description Packaging Voltage - Supply Operating Temperature Package / Case Supplier Device Package Mounting Type Memory Size Write Cycle Time - Word, Page
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
Enquête
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MOQ: 2000  MPQ: 1
IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
Tape & Reel (TR) 1.14 V ~ 1.26 V -40°C ~ 105°C (TC) - - - 4Gb (512M x 8) -
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
Enquête
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MOQ: 2000  MPQ: 1
IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
Tape & Reel (TR) 1.14 V ~ 1.26 V -40°C ~ 95°C (TC) - - - 4Gb (512M x 8) -
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
Micron Technology Inc.
Enquête
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MOQ: 2000  MPQ: 1
IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
Tape & Reel (TR) 1.14 V ~ 1.26 V -40°C ~ 125°C (TC) - - - 4Gb (512M x 8) -
MT40A1G16WBU-083E:B
Micron Technology Inc.
Enquête
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MOQ: 1368  MPQ: 1
IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ
- 1.14 V ~ 1.26 V 0°C ~ 95°C (TC) - - - 16Gb (1G x 16) -
MT40A2G8NRE-083E:B
Micron Technology Inc.
Enquête
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MOQ: 1140  MPQ: 1
IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ
- 1.14 V ~ 1.26 V 0°C ~ 95°C (TC) - - - 16Gb (2G x 8) -
MT40A4G4NRE-083E:B
Micron Technology Inc.
Enquête
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MOQ: 1140  MPQ: 1
IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ
- 1.14 V ~ 1.26 V 0°C ~ 95°C (TC) - - - 16Gb (4G x 4) -